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产品简介:
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| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-143射频双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,Infineon Technologies BFP 181 E7764- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BFP 181 E7764 |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 70 @ 70mA,8V |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | PG-SOT143-4 |
| 其它名称 | BFP 181 E7764CT |
| 功率-最大值 | 175mW |
| 功率耗散 | 175 mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 发射极-基极电压VEBO | 2 V |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 噪声系数(dB,不同f时的典型值) | 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
| 增益 | 17.5dB ~ 21dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-253-4,TO-253AA |
| 封装/箱体 | SOT-143-4 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | Bipolar |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大工作频率 | 8 GHz |
| 最大直流电集电极电流 | 0.02 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 12V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 20mA |
| 类型 | RF Bipolar Small Signal |
| 系列 | BFP181 |
| 配置 | Single Dual Emitter |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 12 V |
| 集电极连续电流 | 0.02 A |
| 零件号别名 | BFP181E7764HTSA1 SP000011013 |
| 频率 | 8 GHz |
| 频率-跃迁 | 8GHz |